(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPW65R019C7FKSA1
Изображение служит лишь для справки
IPW65R019C7FKSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Date Sheet
Lagernummer 223
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：75A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：446W Tc
- Время отключения：106 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：CoolMOS™ C7
- Опубликовано：2008
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：SINGLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：446W
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：30 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：19m Ω @ 58.3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 2.92mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9900pF @ 400V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：215nC @ 10V
- Время подъема：27ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：5 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：75A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками：650V
- Максимальный импульсный ток вывода：496A
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 223
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
