Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STH270N8F7-6

Изображение служит лишь для справки






STH270N8F7-6
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Date Sheet
Lagernummer 300
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- Количество контактов:7
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:180A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:315W Tc
- Время отключения:98 ns
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Серия:DeepGATE™, STripFET™ VII
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:ULTRA LOW RESISTANCE
- Форма вывода:GULL WING
- Основной номер части:STH270
- Код JESD-30:R-PSSO-G6
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:315W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:56 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:2.1m Ω @ 90A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:13600pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:193nC @ 10V
- Время подъема:180ns
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):42 ns
- Непрерывный ток стока (ID):180A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Напряжение пробоя стока к истоку:80V
- Высота:4.8mm
- Длина:10.4mm
- Ширина:15.25mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 300
Итого $0.00000